【太平洋科技快訊】近日，新任 CEO 陳立武在 Intel Foundry Direct Connect 2025 行徑中示意，18A 工藝節點已參預風險坐褥階段，預測將在 2025 年晚些時期啟動量產。同期，18A 工藝的性能增強版——18A-P，也已在晶圓廠中運行，并產出了早期晶圓。 英特爾還閃現，其 18A-PT 版塊將選擇訪佛 AMD 3D V-Cache 的 3D 堆疊本事，名為 Foveros Direct，收場垂直晶圓堆疊ag九游會網站，并在要津互連密度方面與臺積電的居品相比好意思。

英特爾還秘書了 14A 工藝節點的最新闡明。行為 18A 的后續工藝節點，14A(1.4nm 等效)預測將于 2027 年推出，并成為業內首個選擇 High-NA EUV 光刻本事的節點。比擬 18A，14A 預測能效將提高 15%-20%，芯片密度將加多約 30%，功耗也將進一步縮短。

為了知足先進封裝的需求，英特爾代工職業將提供系統級集成職業，期騙 Intel 14A 和 Intel 18A-P 制程節點，通過 Foveros Direct(3D 堆疊)和 EMIB(2.5D 橋接)本事收場一語氣。此外，英特爾還將推出新的先進封裝本事，包括面向改日高帶寬內存需求的 EMIB-T，以及在 Foveros 3D 方面的 Foveros-R 和 Foveros-B，為客戶提供更多高效天果真遴薦。

憑證英特爾的官方門路圖，18A-P 將在 2026 年推出，18A-PT 要比及 2028 年。14A 將在 2027 年到來，還會有 14A-E 工藝。在行業競爭方面，臺積電的 2nm(N2)工藝預測 2025 年下半年量產，性能提高 10%-15%，功耗縮短 25%-30%。英特爾的 14A 節點預測進步臺積電一年推出，且將初次選擇 High-NA EUV 本事。