（原標(biāo)題：TI發(fā)力GaN，產(chǎn)能增四倍）

淌若您但愿不錯經(jīng)常碰頭，接待標(biāo)星保藏哦~

來源：施行來自預(yù)想報，謝謝。

德州儀器（TI）當(dāng)天曉喻已開動在日本會津的工場坐蓐氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體。跟著會津廠干涉坐蓐，加上位于德州達(dá)拉斯的現(xiàn)存GaN制猖獗業(yè)，TI 現(xiàn)針對GaN功率半導(dǎo)體的自有產(chǎn)能可加多至四倍之多。

TI 的時候與制造資深副總裁Mohammad Yunus暗意：「以跳動十年的GaN芯片野心與制造專科常識，咱們已得勝考證8吋GaN時候，并在會津張開量產(chǎn)；這是現(xiàn)今推行性最高且最具老本競爭力的GaN制造時候。這個里程碑使咱們領(lǐng)有更多的GaN芯片自有產(chǎn)能，并在2030 年前將里面制造的比率培植至95%以上，同期也讓咱們可從多個TI據(jù)點進(jìn)行采購，確保整個高功率、節(jié)能半導(dǎo)體GaN居品組合的可靠供應(yīng)?！?/p>

GaN作念為硅的替代決策，這款半導(dǎo)體材料可在好多畛域中提供上風(fēng)，包括節(jié)能、開關(guān)速率、電源管理決策尺寸與分量、舉座系統(tǒng)老本，以及在高溫與高壓要求下的性能等。 GaN芯片可提供更高的功率密度，也便是在更小的空間提供更多功率，使其能應(yīng)用于札記型電腦或當(dāng)作電話的電源轉(zhuǎn)接器，或是更小、更節(jié)能的加熱與空調(diào)系統(tǒng)和家用電器馬達(dá)。

TI暗意，咫尺TI已提供最平庸的整合式GaN功率半導(dǎo)體居品組合，從低電壓到高電壓皆包含在內(nèi)，借此罷了最為節(jié)能、可靠且具高功率密度的電子居品。

TI 的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian暗意：「行使GaN，TI就能更有后果地在工整的空間中提供更高效的功率，這亦然激動咱們浩蕩客戶翻新的主要市集需求。諸如伺服器電源、太陽能發(fā)電和AC/DC轉(zhuǎn)接器等系統(tǒng)的野心師正面對必須要減少功耗并培植動力后果的挑戰(zhàn)，他們關(guān)于TI高性能GaN芯片可靠供應(yīng)的需求也絕難一見。TI的整合式GaN功率級居品組合讓客戶可罷了更高的功率密度、培植易用性，并裁減系統(tǒng)老本?！?/p>

此外，憑借TI的專利硅基氮化鎵制程、經(jīng)由跳動8000 萬小時的可靠性測試，并具備整合式保護(hù)功能，TI的GaN芯片能確保高電壓系統(tǒng)安全無虞。

TI強(qiáng)調(diào)，新產(chǎn)能使用現(xiàn)今市面上起首進(jìn)的建樹來制造GaN芯片，因此可培植居品質(zhì)能與制程后果，同期還能提供老本上風(fēng)。加多GaN制造畛域的性能上風(fēng)使其可將GaN芯片培植至較高的電壓，從900伏特開動，跟著時候推移加多至更高的電壓，借此進(jìn)一步激動機(jī)器東說念主、再活潑力和伺服器電源等應(yīng)用的動力后果與尺寸翻新。

此外，TI的擴(kuò)大投資包含于本年稍早在12吋晶圓上得勝進(jìn)行GaN制造的試行功課。 TI握續(xù)擴(kuò)大的GaN制程時候不錯富余改換至12吋晶圓上，讓其能隨時闡明客戶需求進(jìn)行診療，并在曩昔移轉(zhuǎn)至透過12吋時候進(jìn)行坐蓐。

半導(dǎo)體佳構(gòu)公眾號保舉

專注半導(dǎo)體畛域更多原創(chuàng)施行

關(guān)懷民眾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動向與趨勢

*免責(zé)聲明：本文由作家原創(chuàng)。著作施行系作家個東說念主不雅點，半導(dǎo)體行業(yè)不雅察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的不雅點，不代表半導(dǎo)體行業(yè)不雅察對該不雅點贊同或賑濟(jì)，淌若有任何異議，接待相干半導(dǎo)體行業(yè)不雅察。

今天是《半導(dǎo)體行業(yè)不雅察》為您共享的第3927施行，接待關(guān)懷。

『半導(dǎo)體第一垂直媒體』

及時 ?？?原創(chuàng) 深度

公眾號ID：icbank

心愛咱們的施行就點“在看”共享給小伙伴哦

官方